| Директор Intel по розробці компонентів Майк Мейберрі повідомив про те, що його підрозділом в даний час ведеться робота над упровадженням нового типу транзисторів з ефектом плаваючого заряду (floating-body cell), які в майбутньому повинні дозволити оснащувати процесори Intel кеш-пам'яттю куди більшого об'єму. В даний час для цих цілей використовується SRAM (static RAM), але густина її чипів на сьогодні не дуже висока - для зберігання одного біта інформації потрібно шість транзисторів. Альтернативна технологія, EDRAM (embedded RAM) дуже дорога у виробництві і, тому ж, не володіє достатніми швидкісними показниками. Для зберігання біта інформації при використовуванні floating-body cell потрібно всього один транзистор. Нагадаємо, це не перша розробка, що використовує подібний ефект - майже два роки тому компанія Toshiba оголосила про розробку пам'яті типа floating-body DRAM. Оригінальність підходу Intel полягає у тому, що її дизайн для зміни сили заряду, що поступає на елемент пам'яті і логічний транзистор, використовує два затвори замість одного спільно з товщиною оксидної підкладки, що варіюється. В зв'язку з цим згадуються розробки Intel, направлені на створення транзисторів трьохзатворів, які компанія має намір упровадити в найближчі 3-7 років. Джерело: ZDNet
|
